搶攻電動車(EV)商機、日廠忙增產EV用次世代半導體「碳化矽(SiC)功率半導體」，此中東芝(線上 運彩Toshiba)傳出計畫將產量擴增至10倍。
日經報導3日新聞，因看好來自電動車(EV)的需要將擴張，也讓東芝(Toshiba)、羅沐(Rohm)等日本廠商開端相繼增產運彩 中職 和局節能功能增加的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供給\管理電力的「功率半導體」產物，但是採用的質料不是現行主流的矽(Si)、而是使用了碳化矽(運彩 線上SiC)。SiC功率半導體採用於EV逆變器上的話，耗電力可壓縮5-8、可增加續航間隔，目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開端在部門車款上採用SiC功率半導體。
新聞指出，因看好來自EV的需要有望展示連忙擴張，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Tos2024世界盃運彩賠率hiba Electronic Devices Storage)」方案在2024年度將旗下姬路半導體工場的SiC功率半導體產量擴增至2024年度的3倍、之後方案在2025年度進一步擴增至10倍，目的最遲在2030年度贏得環球1成以上市佔率。
另有，羅沐將投資500億日圓、目的在2025年之前將SiC功率半導體產能提高至現行的5倍以上。羅沐位於福岡縣筑後市的工場內已蓋好SiC新廠房、目的2024年啟用，中國吉祥汽車的EV已決擇使用羅沐的SiC功率半導體產物，而羅沐目的在早期內將環球市佔率自現行的近2成提高至3成。
富士電機斟酌將SiC功率半導體開端生產的時間自原本方案(2025年)提前半年到1年。
日本研調機構富士經濟(Fuji Keizai)7月9日公布查訪匯報指出，跟著車輛價錢下滑、根基設施整備完善，歷久來看，EV將成為電動化車款的主流，預估2024年EV販售量將逾越HV(油電融合車)，2035年環球EV販售量預估將大幅擴增至2,418萬臺、將較2024年跳增10倍(暴增約1,000)。
SiC功率半導體需要衝、2030年估跳增28倍
富士經濟6月10日公布查訪匯報指出，自2024年以後，在汽車電子器材需要加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20的速度展示增線上投注運彩長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2024年跳增38倍(發展約380)。
此中，因汽車電子器材需要加持，來自中國、北美、歐洲的需要揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴張至1,859億日圓、將較2024年跳增28倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴張至166億日圓、將較2024年飆增65倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
